Samsung start met de massaproductie van het eerste 512 GB eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 mobiele geheugen voor gebruik in topsmartphones. Het nieuwe 512 GB eUFS 3.1 geheugen is drie keer sneller dan 512 GB eUFS 3.0. Daarmee breekt Samsung’s nieuwe eUFS 3.1 als eerste de snelheid van 1 GB per seconde voor smartphonegeheugen.
“Met de introductie van onze snelste mobiele geheugenoplossingen hoeven smartphonegebruikers niet langer bang te zijn tegen de mogelijkheden van hun geheugen aan te lopen,” zegt Roderick Niehorster, Product Manager, Memory Business van Samsung Benelux. “De nieuwe eUFS 3.1 laat zien dat wij de vraag naar steeds sneller geheugen van smartphonefabrikanten ondersteunen.”
Met een sequentiële schrijfsnelheid van meer dan 1.200 MB/s beschikt de Samsung 512 GB eUFS 3.1 over meer dan tweemaal de snelheid van een op SATA-gebaseerde PC (540 MB/s) en meer dan tien keer de snelheid van UHS-I microSD-kaarten (90 MB/s). Dit betekent dat mensen kunnen genieten van de snelheid van een laptop terwijl zij grote bestanden zoals 8K-video en honderden foto’s opslaan op hun smartphone. En dat allemaal zonder vertraging. Ook het overzetten van data van oude naar nieuwe smartphones neemt minder tijd in beslag. Smartphones met het nieuwe eUFS 3.1 geheugen vereisen anderhalve minuut voor het overzetten van 100 GB aan data, tegenover meer dan vier minuten voor smartphones met eUFS 3.0.
Ook in randomprestaties verwerkt het 512 GB eUFS 3.1 geheugen data tot 60% sneller dan het gebruikelijke UFS 3.0. eUFS 3.1 biedt 100.000 input/output per seconde (IOPS) voor lezen en 70.000 IOPS voor schrijven.
Naast de optie voor 512 GB maakt Samsung de 256 GB en 128 GB versies van het eUFS 3.1 geheugen beschikbaar voor smartphones die later dit jaar worden geïntroduceerd.
Om aan de vraag naar snel geheugen voor smartphones te voldoen, startte Samsung deze maand met de massaproductie van de vijfde generatie V-NAND op zijn nieuwe productielijn in Xi’an, China. Ook wordt binnenkort de massaproductie van V-NAND in Pyeongtaek, Korea opgeschaald van de vijfde naar de zesde generatie V-NAND. Zo beantwoordt Samsung aan de groeiende vraag naar dit snelle geheugen.
Line-up intern geheugen Samsung
| Product | Sequentiële leessnelheid | Sequentiële schrijfsnelheid | Random leessnelheid | Random schrijfsnelheid |
| 512GB eUFS 3.1 (March 2020) | 2100 MB/s | 1200 MB/s (3X enhancement) | 100,000 IOPS (1.6X enhancement) | 70,000 IOPS (1.03X enhancement) |
| 512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019) | 2100 MB/s | 410 MB/s | 63,000 IOPS | 68,000 IOPS |
| 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860 MB/s | 255 MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Automotive UFS 2.1 (Sept. 2017) | 850 MB/s | 150 MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| 256GB UFS Card (July 2016) | 530 MB/s | 170 MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850 MB/s | 260 MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) | 350 MB/s | 150 MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 MB/s | 125 MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 MB/s | 90 MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 MB/s | 50 MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
